protec carrier systems
機械
(T-ESC®成员)
光刻或高温 工艺T-ESC®（Litho HT T-ESC®）
光刻高温传送静电夹具（Litho HT T-ESC®）是我们特别设计的解决方案，适用于包含不同步骤的整个光刻过程中薄晶圆持取。 基于我们的 HT T-ESC®，由于 T-ESC® 和晶圆之间采用特殊的设计液体，因此它可以实现高产量的光刻加工。
还有一种改造版本的滑动剥离工艺，主要用于化合物半导体，例如 GaAs、InP 等。
光刻或高温 工艺T-ESC®（Litho HT T-ESC®）
典型应用
光刻过程中薄晶圆持取支持解决方案
-
高温（最高 400°C）和适合真空
-
与现有的持取系统兼容（传送匣盒、真空、伯努利或机械末端夹持器）
-
超低污染
-
高平整度
-
无放气
-
可重复使用
-
尺寸从 2" 到 12"，或客户定制
推荐工艺：
-
涂胶
-
去厚胶边（光刻胶边缘修复）
-
烘烤（软烤和硬烤）
-
曝光
-
显影
-
去胶
-
单晶圆旋转蚀刻
-
滑动剥离
-
持取
光刻是整个光刻加工步骤的一般命名，如涂胶、烘烤、曝光等。
光刻工艺的一部分，当基板夹持在夹盘上时，液体化学品被喷涂或喷射到表面上。在此步骤或之后，旋转基板，使得化学品在整个表面上均匀分布。
在旋涂过程中，晶片边缘处会形成不均匀的边缘堆积。这样的边缘会在进一步加工中造成问题，因此需要将其移除，这被称为EBR
在光刻工艺流程期间需要若干烘烤步骤，以实现抗蚀剂的最佳等级以承受随后的基板蚀刻工艺并最终获得目标结构。烘烤意味着基本上将基板与光刻胶一起加热到特定温度，将其保持一段时间，然后冷却基板并准备好进行下一步骤。
已经涂布的晶圆通过光罩被光或其他辐射源照射，因此可以在该图案之后成型。
为了在涂布的光刻胶曝光后产生真实的结构，通过显影剂部分地除去光刻胶。这可以通过浸泡，也可以通过旋转式工具进行。对于我们的可移动静电载体，我们建议仅使用旋转工具。显影阶段之后在光刻胶上能够产生可见的图案，烘烤后基板上可获得结构化的图案区域。
在剥离工艺中去除不需要或不想要的光刻胶。这一步通常使用湿化学来完成。也可采用干式剥离工艺，请参考等离子清洗/灰化。
旋转蚀刻遵循与旋转涂布相同的原理。基板夹持在夹盘上，然后在旋转过程中将化学物质喷射到表面。
易碎晶圆通过粘结剂接合到临时载体上，加工后需要采取滑动剥离法进行剥离。加热与基板结合的粘结载体直到粘结剂变成液态，然后晶圆或载体在一个方向上滑动，而另一个方向上固持在适当位置。此后，必须通过化学品去除晶圆上的粘结剂残留物。整个过程可以通过我们的可移动静电载体（T-ESC®）为薄晶圆在滑动和后续清洗步骤中始终提供刚性支撑。
在晶圆加工期间，晶圆需要从传送盒来回传送到工具，还需要在工具内部从一个传送站传送到另一个传送站。对于易碎基板，这一点非常具有挑战性，因为它们往往会制动或产生裂缝，这可能导致将来发生破损。同样薄化基板弯曲会给所有工具制造很多麻烦，因为它们通常并非为这种非常特殊的操作而设计。使用我们的 T-ESC® 进行临时接合将产生非常大的帮助，因为加工工具只能观察到标准晶圆，在固持方面有问题，而使用我们的设备可以消除晶圆破损。